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saber仿真中电容的ic怎么设置

发布时间:2019-07-06 23:39 来源:未知 编辑:admin

  这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性.

  这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态特性,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

  这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

  这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的动态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.

  这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层自加热模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性.

  这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.

  这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.

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